国色天香精品一卡2卡3卡,欧美综合自拍亚洲综合图片区 ,少妇搡BBBB搡BBB搡澳门,无码免费人妻A片AAA毛片西瓜

  【中國儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究中取得新進展。  圖1. 集成電路核心MOS器件結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢  圖2. 研制的全隔離硅基環(huán)柵納米線MOSFET結(jié)構(gòu)與電學特性   5納米以下集成電路技術(shù)中現(xiàn)有的FinFET器件結(jié)構(gòu)面臨諸多挑戰(zhàn)

2018-04-26 11:30:44 · 中科院微電子研究所 閱讀:1204
  【中國儀表網(wǎng) 儀表研發(fā)】近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發(fā)中心在面向5納米以下技術(shù)代的新型硅基環(huán)柵納米線(Gate-all-around silicon nanowire,GAA SiNW)MOS器件的結(jié)構(gòu)和制造方法研究中取得新進展。  圖1. 集成電路核心MOS器件結(jié)構(gòu)發(fā)展趨勢  圖2. 研制的全隔離硅基環(huán)柵納米線MOSFET結(jié)構(gòu)與電學特性   5納米以下集成電路技術(shù)中現(xiàn)有的FinFET器件結(jié)構(gòu)面臨諸多挑戰(zhàn)
聲明:本文內(nèi)容來源自網(wǎng)絡,文字、圖片等素材版權(quán)屬于原作者,橙電平臺轉(zhuǎn)載素材出于傳遞更多信息,文章內(nèi)容僅供參考與學習,切勿作為商業(yè)目的使用。 如果侵害了您的合法權(quán)益,請您及時與我們聯(lián)系(2430586914@qq.com),我們會在第一時間進行處理!我們尊重版權(quán),也致力于保護版權(quán),橙電平臺感謝您的分享!

TOPS
  • 日排行 /
  • 周排行 /
  • 原創(chuàng)